Name: Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (in German)
Price: 40.36 EUR
Availability: InStock
Author: T. V., Rajesh ; S. V., Jagadeesh Chandra ; Ch, V. V. Ramana
ISBN: 9786206433781

portada Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (in German)

Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (in German)

Type

Physical Book

Author

Rajesh T. V.

Jagadeesh Chandra S. V.

V. V. Ramana Ch

Publisher

Verlag Unser Wissen

Language

German

Pages

Format

Paperback

Dimensions

22.9 x 15.2 x 0.4 cm

Weight

0.12 kg.

ISBN13

9786206433781

Synopsis "Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen (in German)"

Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine gro e Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme bieten, mit denen die Si-Technologie für fortschrittliche CMOS-Bauelemente konfrontiert ist; dies ist hauptsächlich auf die höhere Mobilität sowohl der Löcher als auch der Elektronen im Ge-Substrat zurückzuführen. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Themen der Ge-Technologie für Hochfrequenz-Bauelemente zu kennen.

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