Name: Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian)
Price: 40.36 EUR
Availability: InStock
Author: T. V., Rajesh ; S. V., Jagadeesh Chandra ; Ch, V. V. Ramana
ISBN: 9786206433811

portada Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian)

Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian)

Type

Physical Book

Author

Rajesh T. V.

Jagadeesh Chandra S. V.

V. V. Ramana Ch

Publisher

Edizioni Sapienza

Language

Italian

Pages

Format

Paperback

Dimensions

22.9 x 15.2 x 0.4 cm

Weight

0.11 kg.

ISBN13

9786206433811

Synopsis "Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS (in Italian)"

I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) è un candidato promettente per la prossima generazione di dielettrici di gate grazie alla sua costante dielettrica relativamente alta 25, all'ampio bandgap, alla buona stabilità termica e all'energia libera di reazione relativamente alta con il materiale del substrato. Recentemente, i dispositivi elettronici basati sul Ge hanno riguadagnato una notevole attenzione e il Ge può fornire soluzioni ai principali problemi che la tecnologia Si sta affrontando per i dispositivi CMOS avanzati; ciò è dovuto principalmente alla maggiore mo-bilità sia delle buche che degli elettroni nel substrato Ge. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi della tecnologia Ge per i dispositivi ad alta frequenza.

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